Kính hiển vi điện tử quét chùm ion hội tụ (Ga và Xe plasma)

Kính hiển vi điện tử quét chùm ion hội tụ (Focused Ion Beam Scanning Electron Microscopy) (FIB-SEM) kết hợp 2 chùm tia (chùm điện tử và chùm ion) trong một hệ thống. Cột SEM cung cấp chức năng quét hình ảnh có độ phân giải cao, còn cột FIB có chức năng tác động dạng bắn phá bề mặt mẫu sâu vào lớp bên trong phục vụ việc nghiên cứu. Hệ thống 2 chùm tia FIB-SEM đã mở ra cho thế giới các khả năng mới, để thực hiện các ứng dụng mà trước đây không thể thực hiện trên hệ thống SEM đơn lẻ.

Thiết lập trong các hệ thống FIB-SEM là đảm bảo tiêu điểm của chùm tia điện tử và chùm ion trùng nhau, giúp thu kết quả tối ưu trong nhiều ứng dụng. Bằng cách này, việc quét ảnh SEM và thao tác bắn phá bề mặt bởi FIB được thực hiện đồng thời – một bước tiến đáng kể về năng lực và hiệu suất cho các thao tác FIB đòi hỏi độ chính xác cao nhất.

TESCAN cung cấp hai loại nguồn ion khác nhau cho hệ FIB: ion Gallium và plasma ion Xenon. Nguồn ion Ga FIB dành cho tất cả những ứng dụng cần độ chính xác cao trong tổng hợp và chế tạo nano. Trong khi đó, nguồn plasma Xe FIB dành cho dòng ion cao hơn, giúp bắn phá lượng vật liệu lớn trong thời gian ngắn hơn 50 lần so với Ga FIB. Về độ chính xác, plasma Xe có độ phân giải cao, có thể đạt được < 15 nm, phục vụ các thao tác nhạy, các ứng dụng yêu cầu kết hợp năng lực và độ chính xác.

Một loạt các hệ thống FIB-SEM của TESCAN được cung cấp nhằm đáp ứng nhu cầu đa dạng của khách hàng: từ các ứng dụng công nghiệp cơ bản, đến các ứng dụng tiên tiến và ứng dụng đầy thử thách, đòi hỏi tiêu chuẩn cao nhất về việc quét hình ảnh và các chế tác micro/nanomet trong các qui trình công việc phức tạp.